N-Channel MOSFET, 220 A, 200 V, 3-Pin TO-268-3 IXTT220N20X4HV
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 шт., срок 6 недель
7 260 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 260 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Littlefuse IXTT220N20X4HV MOSFETs are designed with the latest Ultra Junction technology for high efficiency power applications.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 220 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0055 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-268-3 |
| Pin Count | 3 |
| Series | X4 |
| Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![IXFN56N90P, Транзистор, Polar HiPerFET, N-канал, 56А, 900В, 0.145Ом, [SOT-227]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288127.jpg)
![Транзистор 2SK1271, тип N, 240 Вт, корпус TO-3P[N] ,NEC](https://static.chipdip.ru/lib/125/DOC011125892.jpg)
