Реклама
Рекламодатель: АО «ЧИП и ДИП»
erid: LjN8KJZnZ

AS4C4M16SA-7BCN, SDRAM 64Mbit Surface Mount, 200MHz, 3 V to 3.6 V, 54-Pin FBGA

AS4C4M16SA-7BCN, SDRAM 64Mbit Surface Mount, 200MHz, 3 V to 3.6 V, 54-Pin FBGA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 130 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 5 650 руб.
Номенклатурный номер: 8014573991
Артикул: AS4C4M16SA-7BCN

Описание

Semiconductors\Memory Chips\SDRAM
The Alliance Memory 64Mb SDRAM is a high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64 Mbits. It is internally configured as 4 Banks of 1M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK).

Технические параметры

Address Bus Width 12bit
Data Bus Width 16bit
Data Rate 200MHz
Maximum Operating Supply Voltage 3.6 V
Maximum Operating Temperature +70 °C
Maximum Random Access Time 5.4ns
Memory Size 64Mbit
Minimum Operating Supply Voltage 3 V
Minimum Operating Temperature 0 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Bits per Word 16bit
Number of Words 4M
Organisation 4M x 16
Package Type FBGA
Pin Count 54
SDRAM Class DDR
Width 8.0mm
Access Time 5.4ns
Clock Frequency 143MHz
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0002
Memory Format DRAM
Memory Interface Parallel
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Operating Temperature 0В°C ~ 70В°C (TA)
Package Tray
Package / Case 54-TFBGA
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 54-TFBGA (8x8)
Technology SDRAM
Voltage - Supply 3V ~ 3.6V
Write Cycle Time - Word, Page 2ns

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1295 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем