FF300R08W2P2B11ABOMA1 Half Bridge IGBT Module, 200 A 750 V AG-EASY2B-3, PCB Mount

Фото 1/2 FF300R08W2P2B11ABOMA1 Half Bridge IGBT Module, 200 A 750 V AG-EASY2B-3, PCB Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
26 430 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 26 430 руб.
Номенклатурный номер: 8014578604
Артикул: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon IGBT module is a very compact and flexible product offering integrated isolation for the main inverter of hybrid and electric vehicles.

Технические параметры

Configuration Half Bridge
Maximum Collector Emitter Voltage 750 V
Maximum Continuous Collector Current 200 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20.0V
Mounting Type PCB Mount
Package Type AG-EASY2B-3
Collector Emitter Saturation Voltage
Collector Emitter Voltage Max 750В
Continuous Collector Current 200А
DC Ток Коллектора 200А
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ Half Bridge
Линейка Продукции EasyPack Series
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 750В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT EDT2
Вес, г 1

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов