2SK1835-E, Silicon N-Channel MOSFET, 4 A, 1500 V, 3-Pin TO-3PN Renesas 2SK1835-E
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт., срок 7 недель
3 630 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 630 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Renesas Electronics silicon N-channel MOSFET suitable for switching and load switch applications.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.6 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 1500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-3PN |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 110 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
