2ED2103S06FXUMA1, 290 mA, 10 → 20V 8-Pin, DSO
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
330 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 3 300 руб.
Описание
Semiconductors\Power Management ICs\Gate Drivers
The Infineon high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels.
Технические параметры
Fall Time | 35ns |
Logic Type | CMOS, LSTTL |
Output Current | 290 mA |
Package Type | DSO |
Pin Count | 8 |
Supply Voltage | 10 → 20V |
IC Case / Package | SOIC |
Задержка Выхода | 90нс |
Задержка по Входу | 90нс |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Количество Каналов | 2канал(-ов) |
Конфигурация Привода | Полумост |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
Максимальное Напряжение Питания | 20В |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
Минимальное Напряжение Питания | 10В |
Стиль Корпуса Привода | SOIC |
Тип переключателя питания | IGBT, MOSFET |
Ток истока | 290мА |
Ток стока | 700мА |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Техническая документация
Datasheet 2ED2103S06FXUMA1
pdf, 1151 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
Похожие товары