N-Channel MOSFET, 500 mA, 20 V, 3-Pin UFM SSM3K36TU(TE85L)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
310 шт., срок 6 недель
76 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 760 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 500 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.52 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | UFM |
| Pin Count | 3 |
| Series | SSM3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.23 nC @ 4 V |
| Width | 1.7mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![10N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 10А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![2N7002DW-TP, Транзистор MOSFET, 2N-канала, 60В, 0.115А [SOT-363]](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC005313888.jpg)
![FDS6681Z, Транзистор P-MOSFET 30В 18А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![IRF4905STRL, Транзистор P-MOSFET 60В 42A 170Вт [D2PAK / TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
