Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Microchip › LND150N3-G, MOSFET Transistor - N Channel - ...

LND150N3-G, MOSFET Transistor - N Channel - 30 mA - 500 V - 850 ohm - TO-92-3.

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

170 руб.

Кратность заказа 50 шт.

от 250 шт. — 150 руб.

Добавить в корзину 50 шт. на сумму 8 500 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8014686319

Артикул: LND150N3-G

Бренд: Microchip Technology

Описание

Discrete Semiconductors\Fet Transistors\Mosfet

Описание Транзистор полевой LND150N3-G от производителя MICROCHIP – надежный компонент для разработки электронных схем. Используемый в монтаже THT, этот транзистор легко устанавливается в печатные платы. С током стока 0,03 А и напряжением сток-исток в 500 В, он способен управлять электрическими нагрузками с высокой эффективностью. Мощность транзистора составляет 0,74 Вт, а сопротивление в открытом состоянии – 1 000 Ом, что обеспечивает его стабильную работу. Тип N-MOSFET указывает на то, что устройство имеет n-канальный металл-оксидный полупроводниковый транзистор. Компактный корпус TO92 обеспечивает удобство интеграции в различные устройства. В вашем проекте LND150N3G станет ключевым элементом, обеспечивая долговечность и надежность. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	0.03
Напряжение сток-исток, В	500
Мощность, Вт	0.74
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	1000
Корпус	TO92

Технические параметры

Automotive	No
Channel Mode	Depletion
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Maximum Continuous Drain Current (A)	0.03
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	1000000@0V
Maximum Drain Source Voltage (V)	500
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	740
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Bag
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	DMOS
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO
Supplier Package	TO-92
Typical Fall Time (ns)	1300
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	7.5@25V
Typical Rise Time (ns)	450
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	100
Typical Turn-On Delay Time (ns)	90
Maximum Continuous Drain Current	30 mA
Maximum Drain Source Resistance	1000 Ω
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-92
Series	LND150
Вес, г	5