FDMS5672, Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
520 руб.
Мин. кол-во для заказа 60 шт.
Добавить в корзину 60 шт.
на сумму 31 200 руб.
Описание
Полевые МОП-транзисторы PowerTrench®
onsemi / Fairchild МОП-транзисторы PowerTrench® предлагают широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов в отрасли. Эти полевые МОП-транзисторы предлагают версии с N-каналом и P-каналом, которые оптимизированы для работы и надежности переключения с низким R DS (ON). Типичные приложения включают переключатели нагрузки, первичное переключение, мобильные вычисления, преобразователи постоянного тока в постоянный и синхронные выпрямители.
onsemi / Fairchild МОП-транзисторы PowerTrench® предлагают широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов в отрасли. Эти полевые МОП-транзисторы предлагают версии с N-каналом и P-каналом, которые оптимизированы для работы и надежности переключения с низким R DS (ON). Типичные приложения включают переключатели нагрузки, первичное переключение, мобильные вычисления, преобразователи постоянного тока в постоянный и синхронные выпрямители.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 10.6 A |
Maximum Drain Source Resistance | 12 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | MLP8 |
Pin Count | 8 |
Series | UltraFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
Width | 6mm |
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 8 ns |
Forward Transconductance - Min: | 26 S |
Id - Continuous Drain Current: | 10.6 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | Power-56-8 |
Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 45 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.5 mOhms |
Rise Time: | 17 ns |
Series: | FDMS5672 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | UltraFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | Power MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |