STY60NM50, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 37,8А, 560Вт, MAX247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 шт., срок 7 недель
4 570 руб.
от 3 шт. —
4 060 руб.
от 10 шт. —
3 260 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 570 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 37,8А, 560Вт, MAX247 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 600 |
Fall Time | 46 ns |
Height | 20.3 mm |
Id - Continuous Drain Current | 60 A |
Length | 15.9 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | Max247-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 560 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 50 mOhms |
Rise Time | 58 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel MDmesh |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-On Delay Time | 51 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Width | 5.3 mm |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 150 |
Fall Time: | 46 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | Max247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 560 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 266 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms |
Rise Time: | 58 ns |
Series: | STY60NM50 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-On Delay Time: | 51 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 5.11 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.