STGF10NB60SD, Транзистор: IGBT, 600В, 23А, 25Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 6 недель
460 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор: IGBT, 600В, 23А, 25Вт, TO220FP Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Energy Rating | 8mJ |
| Gate Capacitance | 610pF |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 23 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220FP |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.8 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 20 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 20 A |
| Continuous Collector Current: | 10 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-100 nA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 FP |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | STGF10NB60SD |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 1.72 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
