Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics › STGWT60H65DFB, Транзистор: IGBT; 650В; 60А ...

STGWT60H65DFB, Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 375Вт; TO3P

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

18 шт., срок 7 недель

800 руб.

от 10 шт. — 690 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 800 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8014888249

Артикул: STGWT60H65DFB

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Описание Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 375Вт; TO3P Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	БТИЗ
Вид	IGBT

Технические параметры

Base Product Number	STGWT60 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	80A
Current - Collector Pulsed (Icm)	240A
ECCN	EAR99
Gate Charge	306nC
HTSUS	8541.29.0095
IGBT Type	Trench Field Stop
Input Type	Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max	375W
REACH Status	REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)	60ns
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-3P
Switching Energy	1.09mJ (on), 626ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C	51ns/160ns
Test Condition	400V, 60A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Collector Emitter Saturation Voltage	1.6В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	80А
Power Dissipation	375Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	650V HB
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-3P
Brand:	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.6 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	80 A
Continuous Collector Current Ic Max:	60 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	300
Gate-Emitter Leakage Current:	250 nA
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Package/Case:	TO-3P
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	375 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Series:	STGWT60H65DFB
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	80 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	375 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	TO-3P
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	2