Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › WOLFSPEED › C3M0120100J, Транзистор N-MOSFET, полевой ...

C3M0120100J, Транзистор N-MOSFET, полевой, 1кВ, 22А, 83Вт, D2PAK-7, C3M™,SiC

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

50 шт., срок 6 недель

3 390 руб.

от 3 шт. — 2 630 руб.

от 10 шт. — 2 110 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 390 руб.

Номенклатурный номер: 8015455426

Артикул: C3M0120100J

Бренд: WOLFSPEED

Описание

Wolfspeed introduces its latest breakthrough in SiC power device technology with the industry’s only 1kV SiC MOSFET in a newly optimized package suitable for fast switching devices.

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	4.8V
Maximum Continuous Drain Current	22 A
Maximum Drain Source Resistance	170 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	1000 V
Maximum Gate Source Voltage	+15 V, +9 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Maximum Operating Temperature	+150 C
Maximum Power Dissipation	83 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1.8V
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-263-7
Pin Count	7
Series	C3M
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	SiC
Typical Gate Charge @ Vgs	21.5 4/+15 V
Width	9.12mm
Вес, г	1.37