SiC N-Channel MOSFET, 22 A, 1000 V, 7-Pin D2PAK C3M0120100J
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
683 шт., срок 6 недель
6 200 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 200 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Wolfspeed introduces its latest breakthrough in SiC power device technology with the industry’s only 1kV SiC MOSFET in a newly optimized package suitable for fast switching devices.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 4.8V |
| Maximum Continuous Drain Current | 22 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 170 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
| Maximum Gate Source Voltage | +15 V, +9 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 83 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-263-7 |
| Pin Count | 7 |
| Series | C3M |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | SiC |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 21.5 @ 4/+15 V |
| Width | 9.12mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
