N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin DPAK TK60S06K3L

Фото 1/2 N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin DPAK TK60S06K3L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2000 шт., срок 6 недель
290 руб.
Кратность заказа 2000 шт.
Добавить в корзину 2000 шт. на сумму 580 000 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015513388
Артикул: TK60S06K3L
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Automotive Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.

Технические параметры

Automotive Standard AEC-Q101
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Forward Diode Voltage 1.2V
Maximum Continuous Drain Current 60 A
Maximum Drain Source Resistance 12.3 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage ±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 3V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 88 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DPAK(TO-252)
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Typical Gate Charge @ Vgs 60 nC @ 10 V
Width 7mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 244 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.