Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Microchip › LND01K1-G

LND01K1-G

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

450 руб.

от 2 шт. — 360 руб.

от 5 шт. — 294 руб.

от 7 шт. — 277.20 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 450 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8015569446

Бренд: Microchip Technology

Описание

Электроэлемент

MOSFET, LATERAL N-CHANNEL DEPLETION-MODE5 SOT-23 T/R | Microchip Technology Inc. LND01K1-G

Технические параметры

Automotive	No
Channel Mode	Depletion
Channel Type	N
Configuration	Single
Maximum Continuous Drain Current - (A)	0.33
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	1400@0V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	9
Maximum Gate Source Voltage - (V)	0.6
Maximum Power Dissipation - (mW)	360
Military	No
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (??C)	125
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	5
Standard Package Name	SOT-23
Supplier Package	SOT-23
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	46@5V
Id - непрерывный ток утечки	330 mA
Pd - рассеивание мощности	360 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	9 V
Vgs - напряжение затвор-исток	600 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	11 ns
Время спада	6.4 ns
Канальный режим	Depletion
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	LND01
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	1 ns
Типичное время задержки при включении	3.8 ns
Торговая марка	Microchip Technology
Упаковка / блок	SOT-23-5