L2N7002WT1G, 60V 0.115A 7.5Ohm@10V,500mA 225mW 2.5V@250uA N Channel SC-70-3 MOSFETs

26400 шт., срок 7 недель
7 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.4 руб.
от 3000 шт.3.20 руб.
от 6000 шт.2.74 руб.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 350 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8015758975
Артикул: L2N7002WT1G
Бренд: Leshan Radio Co

Описание

60V 115mA 7.5Ω@10V,500mA 225mW 2.5V@250uA N Channel SC-70-3 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 300mA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 1.5Ω@10V, 500mA
Drain Source Voltage (Vdss) 60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA
Power Dissipation (Pd) 200mW
Type N Channel
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 115mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 225mW
Rds On - Drain-Source Resistance 7.5О© @ 500mA,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Vgs - Gate-Source Voltage 2.5V @ 250uA
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet L2N7002WT1G
pdf, 149 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.