L2N7002WT1G, 60V 0.115A 7.5Ohm@10V,500mA 225mW 2.5V@250uA N Channel SC-70-3 MOSFETs
26400 шт., срок 7 недель
7 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
от 3000 шт. —
3.20 руб.
от 6000 шт. —
2.74 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 350 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
60V 115mA 7.5Ω@10V,500mA 225mW 2.5V@250uA N Channel SC-70-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.5Ω@10V, 500mA |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Type | N Channel |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 115mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 225mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 7.5О© @ 500mA,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 250uA |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet L2N7002WT1G
pdf, 149 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.