Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics › STGWA20H65DFB2, TO-247-3 IGBTs ROHS

STGWA20H65DFB2, TO-247-3 IGBTs ROHS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

10 шт., срок 7 недель

860 руб.

от 10 шт. — 660 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 860 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8015767864

Артикул: STGWA20H65DFB2

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	147 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	40 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	600
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	250 nA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Base Product Number	STGWA20 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	40A
Current - Collector Pulsed (Icm)	60A
ECCN	EAR99
Gate Charge	56nC
HTSUS	8541.29.0095
IGBT Type	Trench Field Stop
Input Type	Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-247-3
Power - Max	147W
REACH Status	REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)	215ns
Series	HB2 ->
Supplier Device Package	TO-247 Long Leads
Switching Energy	265ВµJ (on), 214ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C	16ns/78.8ns
Test Condition	400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Collector Emitter Saturation Voltage	1.65В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	40А
Power Dissipation	147Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	HB2
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	40 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	147 W
Number of Transistors	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	6.56