LBSS138LT1G, 50V 200mA 225mW 3.5-@5V,200mA 1.5V@1mA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
74300 шт., срок 7 недель
9 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
6 руб.
от 600 шт. —
4.20 руб.
от 3000 шт. —
3.57 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
50V 200mA 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Type | N Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 200mA |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 225mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.5Ω 200mA, 5V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.5V 1mA |
| кол-во в упаковке | 1 |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet LBSS138LT1G
pdf, 540 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
