L2N7002M3T5G, 60V 115mA 150mW 4-@10V,500mA 2.2V@250uA N Channel SOT-723 MOSFETs
19220 шт., срок 7 недель
12 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
8 руб.
от 600 шт. —
5.70 руб.
от 2000 шт. —
4.86 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
60V 115mA 150mW 4Ω@10V,500mA 2.2V@250uA N Channel SOT-723 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.5Ω@10V, 500mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 30.5pF |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.1pF |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.12nC |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.09 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 167 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
