L2SK3018WT1G, 30V 100mA 200mW 8-@4V,10mA 1.5V@100uA N Channel SC-70 MOSFETs
3420 шт., срок 7 недель
11 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
7 руб.
от 600 шт. —
5.40 руб.
от 3000 шт. —
4.49 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
30V 100mA 200mW 8Ω@4V,10mA 1.5V@100uA N Channel SC-70 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 100mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 8Ω@4V, 10mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@100uA |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Type | N Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 100mA |
| Manufacturer | LRC |
| Package / Case | SC-70 |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 200mW(Tc) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8Ω 10mA, 4V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.5V 100uA |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet L2SK3018WT1G
pdf, 311 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
