STGWA75H65DFB2, Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 шт., срок 7 недель
1 730 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 730 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
The STMicroelectronics Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 115 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 357 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 6.13 |
Техническая документация
Datasheet STGWA75H65DFB2
pdf, 555 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![IKW40N120T2FKSA1 (K40T1202), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![IRGP4063DPBF, Транзистор IGBT 600В 96А [TO-247AC]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307909.jpg)
