LBSS123LT1G, 100V 0.17A 225mW 6-@10V,100mA N Channel SOT-23 MOSFETs
10240 шт., срок 7 недель
9 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
6 руб.
от 600 шт. —
4.20 руб.
от 3000 шт. —
3.62 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
100V 170mA 225mW 6Ω@10V,100mA 2V N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 170mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.8Ω |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Type | N Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 170mA |
| Manufacturer | Leshan Radio |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 225mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6Ω @ 100mA, 10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 1mA |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 360 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
