KTC8050S-D-RTK/P, 50nA 30V 350mW 100@50mA,1V 800mA 120MHz 500mV@500mA,20mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Фото 1/2 KTC8050S-D-RTK/P, 50nA 30V 350mW 100@50mA,1V 800mA 120MHz 500mV@500mA,20mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
18550 шт., срок 7 недель
7 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.4 руб.
от 3000 шт.3 руб.
от 6000 шт.2.51 руб.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 350 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015839821
Артикул: KTC8050S-D-RTK/P
Бренд: Korea Electronics

Описание

Биполярный транзистор, NPN, 35 В, 0.8 А, 0.625 Вт

Технические параметры

Collector-Emitter Breakdown Voltage 30V
Maximum DC Collector Current 800mA
Pd - Power Dissipation 350mW
Transistor Type NPN
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet KTC8050S
pdf, 30 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.