KTC8050S-D-RTK/P, 50nA 30V 350mW 100@50mA,1V 800mA 120MHz 500mV@500mA,20mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18550 шт., срок 7 недель
7 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
от 3000 шт. —
3 руб.
от 6000 шт. —
2.51 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 350 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярный транзистор, NPN, 35 В, 0.8 А, 0.625 Вт
Технические параметры
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 30V |
Maximum DC Collector Current | 800mA |
Pd - Power Dissipation | 350mW |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet KTC8050S-D-RTK/P
pdf, 353 КБ
Datasheet KTC8050S
pdf, 30 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.