MPS8050S-D-RTK/P, 100nA 25V 350mW 160@100mA,1V 1.5A 100MHz 280mV@800mA,80mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
29200 шт., срок 7 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
от 3000 шт. —
2.80 руб.
от 6000 шт. —
2.27 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
25V 350mW 160@100mA,1V 1.5A NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 280mV@800mA, 80mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@100mA, 1V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 25V |
| Maximum DC Collector Current | 1.5A |
| Pd - Power Dissipation | 350mW |
| Вес, г | 0.8 |
Техническая документация
Datasheet MPS8050S-D-RTK/P
pdf, 351 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
