BM2300, 20V 3.6A 60m-@4.5V,3.6A 1.25W 760mV@250uA 33pF@10V N Channel 340pF@10V 5.4nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) SOT-23 MOSFETs
5080 шт., срок 7 недель
18 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
11 руб.
от 300 шт. —
9 руб.
от 3000 шт. —
6.46 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
20V 3.6A 60mΩ@4.5V,3.6A 1.25W 760mV@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 3.6A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 60mΩ@4.5V, 3.6A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 760mV@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 340pF@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.25W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 33pF@10V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.4nC@4.5V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 4679 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
