SI2302, 20V 2.1A 400mW 72m-@4.5V,3.6A 1.2V@50uA N Channel SOT-23 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
177340 шт., срок 6 недель
7 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
5 руб.
от 600 шт. —
3.30 руб.
от 3000 шт. —
3.07 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
20V 3A 1W 50mΩ@4.5V,3A 1V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 2.3A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 48mΩ@4.5V, 2A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 600mV@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 160pF@10V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 1W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 25pF@10V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.4nC@4.5V |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2443 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары