KTD1302-AT/P, 100nA 20V 625mW 200@4mA,2V 300mA 60MHz 250mV@100mA,10mA NPN +150-@(Tj) TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT
1815 шт., срок 7 недель
32 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
20 руб.
от 150 шт. —
17 руб.
от 500 шт. —
14.70 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 160 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
20V 625mW 200@4mA,2V 300mA NPN TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 300mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 20V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@4mA, 2V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 625mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 60MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 20V |
| Manufacturer | KEC Semicon |
| Maximum DC Collector Current | 300mA |
| Package / Case | TO-92_Forming1 |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Pd - Power Dissipation | 625mW |
| Вес, г | 0.31 |
Техническая документация
Datasheet KTD1302-AT/P
pdf, 70 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
