AO3407, 30V 4.1A 60m-@10V,4.1A 350mW 3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
121260 шт., срок 6 недель
12 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
7 руб.
от 600 шт. —
5.70 руб.
от 3000 шт. —
4.49 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
30V 4.1A 60mΩ@10V,4.1A 350mW 3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4.1A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 48mΩ |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 493 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
![1N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![AO3422A, Транзистор N-MOSFET 60В 2.1А [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![AO4405, Транзистор P-MOSFET 30В 6А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
