BML6402, 20V 3.7A 1.1W 65m-@4.5V,3.7A 1.2V@250uA P Channel SOT-23-3 MOSFETs
9030 шт., срок 7 недель
16 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
11 руб.
от 300 шт. —
9 руб.
от 3000 шт. —
6.58 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 160 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
20V 3.7A 1.1W 65mΩ@4.5V,3.7A 1.2V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 3.7A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 65mΩ@4.5V, 3.7A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 1.1W |
| Type | P Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3.7A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.1W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 65mО© @ 3.7A,4.5V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.2V @ 250uA |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet BML6402
pdf, 1348 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
