STD4NK60ZT4, 600V 4A / STD4NK60ZT4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2000 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
220 руб.
от 50 шт. —
110 руб.
от 100 шт. —
103 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения6
Описание
Транзисторы / Транзисторы смд
DPAK (TO-252)
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 2,5А, 70Вт, DPAK ХарактеристикиКатегория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
EU RoHS | Compliant with Exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Product Category | Power MOSFET |
Configuration | Single |
Process Technology | SuperMESH |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 4 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2000@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 18.8@10V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 18.8 |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 510@25V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 70000 |
Typical Fall Time (ns) | 16.5 |
Typical Rise Time (ns) | 9.5 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 29 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Pin Count | 3 |
Standard Package Name | TO-252 |
Supplier Package | DPAK |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 2.4(Max) |
Package Length | 6.6(Max) |
Package Width | 6.2(Max) |
PCB changed | 2 |
Tab | Tab |
Lead Shape | Gull-wing |
кол-во в упаковке | 2500 |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
Power Dissipation (Max) | 70W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 2A, 10V |
Series | SuperMESHв(ў |
Standard Package | 1 |
Supplier Device Package | D-Pak |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50ВµA |
MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
Вес брутто | 0.53 |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
Описание | 600V, MOSFET |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
Тип | MOSFET |
Тип проводимости | N |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*47*46/2500 |
Упаковка | REEL, 2500 шт. |
Техническая документация
Документация
pdf, 759 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.