STGW39NC60VD, Транзистор БТИЗ, 600В, 80А, 250Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8354 шт., срок 6 недель
670 руб.
от 10 шт. —
460 руб.
от 30 шт. —
403 руб.
от 100 шт. —
339 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 670 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор БТИЗ STGW39NC60VD от компании STMicroelectronics представляет собой высокопроизводительный IGBT-транзистор, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). Он характеризуется максимальным током коллектора в 80 А и напряжением коллектор-эмиттер в 600 В, что позволяет использовать его в мощных схемах. Мощность устройства достигает 250 Вт, что обеспечивает надежность и долговечность при эксплуатации в широком диапазоне температур. Корпус TO247 обеспечивает удобство монтажа и хороший теплоотвод. Данный транзистор идеально подходит для использования в источниках питания, преобразователях частоты и других промышленных применениях. Получите надежный и эффективный компонент для вашей электронной аппаратуры с моделью STGW39NC60VD. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 80 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 |
| Мощность, Вт | 250 |
| Корпус | TO247 |
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.8 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Continuous Collector Current: | 70 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-100 nA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | STGW39NC60VD |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Brand | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V/1.7 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 70 A |
| Continuous Collector Current Ic Max | 80 A |
| Factory Pack Quantity | 600 |
| Gate-Emitter Leakage Current | +/-100 nA |
| Height | 20.15 mm |
| Length | 15.75 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 250 W |
| Product Category | IGBT Transistors |
| RoHS | Details |
| Series | 600-650V IGBTs |
| Technology | Si |
| Width | 5.15 mm |
| Вес, г | 4.57 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
