N-Channel MOSFET, 58 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK58A06N1,S4X(S

Фото 1/2 N-Channel MOSFET, 58 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK58A06N1,S4X(S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
50 шт., срок 6 недель
310 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 15 500 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8016713654
Артикул: TK58A06N1,S4X(S
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 58 A
Maximum Drain Source Resistance 5.4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 35 W
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220SIS
Pin Count 3
Series TK
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 46 nC @ 10 V
Width 4.5mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 234 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.