IRFH5020TRPBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 5.1A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

180 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 35 шт. — 140 руб.

от 69 шт. — 132 руб.

от 138 шт. — 124 руб.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 540 руб.

Номенклатурный номер: 8017128333

Артикул: IRFH5020TRPBF

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 200В 5.1A

Корпус	PQFN 5x6 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	34 A
Maximum Drain Source Resistance	55 mO
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SuperSO8 5x6
Pin Count	8
Brand:	Infineon Technologies
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	4000
Fall Time:	6 ns
Id - Continuous Drain Current:	34 A
Manufacturer:	Infineon
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	PQFN-8
Pd - Power Dissipation:	3.6 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	11 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	55 mOhms
Rise Time:	7.7 ns
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	21 ns
Typical Turn-On Delay Time:	9.3 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	200 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.8 V
Вес, г	0.15

pdf, 284 КБ

Мы рекомендуем