NJW0281G, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 190 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 190 руб.
Описание
Описание Транзистор биполярный стандартный, TO-3P
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | 250 V dc |
Maximum Collector Emitter Voltage | 250 V |
Maximum DC Collector Current | 15 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 150 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-3P |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Brand: | onsemi |
Collector- Base Voltage VCBO: | 250 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 250 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 15 A |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 75 |
DC Current Gain hFE Max: | 75 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: | 30 |
Gain Bandwidth Product fT: | 30 MHz |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum DC Collector Current: | 15 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | TO-3P-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 150 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары