BGH75N65ZF1, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 75А; TO247-4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 7 недель
3 650 руб.
от 5 шт. —
2 670 руб.
от 30 шт. —
2 350 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 650 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO247-4 |
| Collector current | 75A |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 444nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 405W |
| Pulsed collector current | 300A |
| Technology | Field Stop, SiC SBD, Trench |
| Turn-off time | 565ns |
| Turn-on time | 84ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.69 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1526 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]](https://static.chipdip.ru/lib/569/DOC010569041.jpg)
