MMBFJ309LT1G N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 30mA, 3-Pin SOT-23

Фото 1/4 MMBFJ309LT1G N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 30mA, 3-Pin SOT-23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
27 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 81 000 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8017332648
Артикул: MMBFJ309LT1G

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\JFETs
Описание Транзистор N-JFET, полевой, 25В 30мA SOT23 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид JFET

Технические параметры

Channel Type N
Configuration Single
Idss Drain-Source Cut-off Current 12 to 30mA
Maximum Drain Source Voltage 25 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Source Gate On-Capacitance 5pF
Transistor Configuration Single
Width 1.4mm
Channel Mode Depletion
Drain Source Voltage (Max) 25(V)
Drain-Source Volt (Max) 25(V)
Gate-Source Voltage (Max) 25(V)
Mounting Surface Mount
Number of Elements 1
Operating Temp Range -55C to 150C
Operating Temperature (Max) 150C
Operating Temperature (Min) -55C
Operating Temperature Classification Military
Packaging Tape and Reel
Rad Hardened No
Screening Level Military
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet MMBFJ310LT1G
pdf, 121 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов