Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STF19NF20, Транзистор N-МОП, полевой, 200В ...

STF19NF20, Транзистор N-МОП, полевой, 200В, 9,45А, 25Вт, TO220FP

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

10 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 дня

440 руб.

от 3 шт. — 400 руб.

от 10 шт. — 353 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 440 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8017507746

Артикул: STF19NF20

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 200В, 9,45А, 25Вт, TO220FP Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	15 A
Pd - рассеивание мощности	25 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	160 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	22 ns
Время спада	11 ns
Высота	9.3 mm
Длина	10.4 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MESH OVERLAY
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STF19NF20
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	19 ns
Типичное время задержки при включении	11.5 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.6 mm
Base Product Number	STF19 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)	25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160mOhm @ 7.5A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	MESH OVERLAYв„ў ->
Supplier Device Package	TO-220FP
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	11 ns
Height	9.3 mm
Id - Continuous Drain Current	15 A
Length	10.4 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	25 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	160 mOhms
Rise Time	22 ns
RoHS	Details
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	19 ns
Typical Turn-On Delay Time	11.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Width	4.6 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	15 A
Maximum Drain Source Resistance	160 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Power Dissipation	25 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220FP
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	24 nC @ 10 V
Case	TO220FP
Drain current	9.45A
Drain-source voltage	200V
Features of semiconductor devices	ESD protected gate
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	tube
Mounting	THT
On-state resistance	0.16Ω
Polarisation	unipolar
Power dissipation	25W
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	1.7