Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs) › ON Semiconductor › NTD5865NLT4G, Транзистор N-MOSFET, полевой ...

NTD5865NLT4G, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 46А, 71Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

340 руб.

от 10 шт. — 220 руб.

от 30 шт. — 191 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 340 руб.

Номенклатурный номер: 8017537968

Артикул: NTD5865NLT4G

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Trans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)	46
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	16 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	60
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	71000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tape and Reel
Part Status	LTB
PCB changed	2
Pin Count	3
PPAP	No
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-252
Supplier Package	DPAK
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	4.4
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	29
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	29 10V\|15 4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	1400 25V
Typical Rise Time (ns)	12.4
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	26
Typical Turn-On Delay Time (ns)	8.4
Drain Source On State Resistance	0.016Ом
Power Dissipation	52Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	46А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	1В
Рассеиваемая Мощность	52Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.016Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Maximum Continuous Drain Current	40 A
Maximum Drain Source Resistance	19 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	52 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	DPAK(TO-252)
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	29 nC @ 10 V
Width	6.22mm
Вес, г	0.378