IRLML2060TRPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 1,2А, 1,25Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
48 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
28 руб.
от 150 шт. —
24 руб.
от 500 шт. —
18.33 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 1,2А, 1,25Вт, SOT23
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 1,2 А |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,25 W |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 1.4мм |
| Высота | 1.02мм |
| Размеры | 3.04 x 1.4 x 1.02мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 3.04мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 4,9 нс |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 3.7 ns |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 480 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 0,67 нКл при 4,5 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 64 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -16 V, +16 V |
| Крутизна характеристики S,А/В | 1.6 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 640 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 1.2 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 480 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±16 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1250 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | HEXFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Typical Fall Time (ns) | 2.8 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.67 4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 64 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 3.8 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 3.7 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4.9 |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.2 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 480 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-23 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.67 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRLML2060TRPBF
pdf, 231 КБ
Datasheet IRLML2060TRPBF
pdf, 199 КБ
Datasheet IRLML2060PBF
pdf, 204 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
