KSP2222ATA, Транзистор NPN, биполярный, 75В, 800мА, 500мВт, TO92
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
36 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
22 руб.
от 150 шт. —
19 руб.
от 500 шт. —
15.71 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Описание
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | 75 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
Maximum DC Collector Current | 600 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 625 mW |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-92 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA(ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Family | Transistors-Bipolar(BJT)-Single |
Frequency - Transition | 300MHz |
Manufacturer | Fairchild Semiconductor |
Operating Temperature | 150°C(TJ) |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(Formed Leads) |
Packaging | Tape & Box(TB) |
Part Status | Active |
Power - Max | 625mW |
Series | - |
Standard Package | 2 |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Вес, г | 0.27 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов