2N5401-AT/P, 50nA 150V 625mW 60@10mA,5V 600mA 100MHz 500mV@50mA,5mA +150-@(Tj) TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT
1130 шт., срок 7 недель
15 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
10 руб.
от 300 шт. —
7.80 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 150 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
150V 625mW 60@10mA,5V 600mA TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 150V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 60@10mA, 5V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 625mW |
| Transistor Type | - |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 150V |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Вес, г | 0.25 |
Техническая документация
Datasheet 2N5401-AT/P
pdf, 355 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
