PD616BA, 30V 55A 7mOhm@10V,20A 38W 3V@250uA N Channel TO-252-2 MOSFETs
2150 шт., срок 7 недель
77 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
53 руб.
от 150 шт. —
48 руб.
от 500 шт. —
42.53 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 385 руб.
Описание
30V 55A 7mΩ@10V,20A 38W 3V@250uA N Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 55A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@10V, 20A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 38W |
| Type | N Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 55A |
| Manufacturer | NIKO Semicon |
| Package / Case | TO-252 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 38W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7mΩ @ 20A, 10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet PD616BA
pdf, 306 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
