SMUN5211DW1T1G, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

32 руб.

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 19 руб.

от 150 шт. — 16 руб.

от 500 шт. — 13.52 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 160 руб.

Номенклатурный номер: 8017626251

Артикул: SMUN5211DW1T1G

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR NPN 50V

EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8542.39.00.01
Type	NPN
Configuration	Dual
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	50
Maximum Continuous DC Collector Current (mA)	100
Minimum DC Current Gain	35@5mA@10V
Typical Input Resistor (kOhm)	10
Typical Resistor Ratio	1
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.25@0.3mA@10mA
Maximum Power Dissipation (mW)	385
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Supplier Temperature Grade	Automotive
Packaging	Tape and Reel
Automotive	Yes
AEC Qualified Number	AEC-Q101
Pin Count	6
Supplier Package	SC-88
Standard Package Name	SOT
Military	No
Mounting	Surface Mount
Package Height	0.9
Package Length	2
Package Width	1.25
PCB changed	6
Lead Shape	Gull-wing
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Квалификация	AEC-Q101
Подкатегория	Transistors
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	MUN5211DW1
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка	ON Semiconductor
Вес, г	0.02