IKFW60N65ES5XKSA1, IGBT транзистор 650В, 50А, 138Вт до 175гр C TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 руб.
от 5 шт. —
500 руб.
от 20 шт. —
477 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 руб.
Описание
IGBT транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Технические параметры
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 | |
| Корпус | TO-247 | |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 50 | |
| Другие названия товара № | FF6MR12W2M1_B70 SP004486482 | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I | |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP | |
| Подкатегория | IGBTs | |
| Размер фабричной упаковки | 240 | |
| Серия | Trenchstop IGBT5 S5 | |
| Тип продукта | IGBT Transistors | |
| Торговая марка | Infineon Technologies | |
| Упаковка | Tube | |
| Base Product Number | IKFW60 -> | |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 77A | |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200A | |
| ECCN | EAR99 | |
| Gate Charge | 120nC | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| IGBT Type | Trench Field Stop | |
| Input Type | Standard | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C (TJ) | |
| Package | Tube | |
| Package / Case | TO-247-3 | |
| Power - Max | 138W | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 77ns | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Series | Trenchstopв„ў 5 -> | |
| Supplier Device Package | PG-HSIP247-3-2 | |
| Switching Energy | 1.23mJ (on), 550ВµJ (off) | |
| Td (on/off) @ 25В°C | 20ns/127ns | |
| Test Condition | 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V | |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 50A | |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V | |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.35В | |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В | |
| Continuous Collector Current | 77А | |
| Power Dissipation | 138Вт | |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 | |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
| Монтаж транзистора | Through Hole | |
| Стиль Корпуса Транзистора | HSIP247 | |
| Вес, г | 7.433 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1457 КБ
Datasheet IKFW60N65ES5XKSA1
pdf, 1441 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
