IHFW40N65R5SXKSA1, IGBT транзистор 650В, 40А, 108Вт до 175гр C TO-247

Фото 1/2 IHFW40N65R5SXKSA1, IGBT транзистор 650В, 40А, 108Вт до 175гр C TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
450 руб.
от 5 шт.410 руб.
от 20 шт.402 руб.
от 35 шт.371.38 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 450 руб.
Номенклатурный номер: 8018326329
Артикул: IHFW40N65R5SXKSA1

Описание

IGBT транзисторы

Технические параметры

Максимальное напряжение КЭ ,В 650
Корпус TO-247
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 40
Collector Emitter Saturation Voltage 1.5В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 61А
Power Dissipation 108Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP 5
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора HSIP247
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet IHFW40N65R5SXKSA1
pdf, 1597 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов