IHFW40N65R5SXKSA1, IGBT транзистор 650В, 40А, 108Вт до 175гр C TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 руб.
от 5 шт. —
410 руб.
от 20 шт. —
402 руб.
от 35 шт. —
371.38 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 450 руб.
Описание
IGBT транзисторы
Технические параметры
Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 | |
Корпус | TO-247 | |
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 | |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В | |
Collector Emitter Voltage Max | 650В | |
Continuous Collector Current | 61А | |
Power Dissipation | 108Вт | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 | |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
Монтаж транзистора | Through Hole | |
Стиль Корпуса Транзистора | HSIP247 | |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IHFW40N65R5SXKSA1
pdf, 1597 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов