MJB45H11T4G, D2Pak (TO-263)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Описание
транзисторы биполярные импортные
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А
Технические параметры
Корпус | TO-263 | |
Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V | |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 50 W | |
Minimum DC Current Gain | 60 | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | D2PAK(TO-263) | |
Pin Count | 2+Tab | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Type | PNP | |
Brand: | onsemi | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V | |
Configuration: | Single | |
Continuous Collector Current: | 10 A | |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 60 | |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 | |
Gain Bandwidth Product fT: | 40 MHz | |
Manufacturer: | onsemi | |
Maximum DC Collector Current: | 10 A | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) | |
Pd - Power Dissipation: | 2 W | |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT | |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors | |
REACH - SVHC: | Details | |
Series: | MJB45H11 | |
Subcategory: | Transistors | |
Technology: | Si | |
Transistor Polarity: | PNP | |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары