2STN1550, Транзистор: NPN; биполярный; 50В; 5А; 1,6Вт; SOT223

Фото 1/5 2STN1550, Транзистор: NPN; биполярный; 50В; 5А; 1,6Вт; SOT223
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
19 шт., срок 7 недель
110 руб.
от 10 шт.85 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8018754172
Артикул: 2STN1550
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Биполярные транзисторы - BJT IGBT & Power Bipolar

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 1600 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.8 mm
Длина 6.5 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 5 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 1000
Серия 2STN1550
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.5 mm
Brand STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Configuration Single
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.8 mm
Length 6.5 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current 5 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-223-4
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 1600 mW
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series 500V Transistors
Transistor Polarity NPN
Width 3.5 mm
Collector Emitter Voltage Max 50В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 100hFE
DC Усиление Тока hFE 100hFE
Power Dissipation 1.6Вт
Количество Выводов 4вывод(-ов)
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора SOT-223
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Automotive No
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Gull-wing
Maximum Base Current (A) 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.2@300mA@3A
Maximum Collector Base Voltage (V) 50
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 100
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.45@300mA@3A
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 50
Maximum DC Collector Current (A) 5
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 1600
Minimum DC Current Gain 100@3A@2V|135@2A@2V
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Operating Junction Temperature (°C) 150
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 4
PPAP No
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-223
Supplier Temperature Grade Industrial
Tab Tab
Type NPN
Maximum Collector Emitter Voltage 50 V
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 1 MHz
Maximum Power Dissipation 1.4 W
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-223(SC-73)
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 139 КБ
Datasheet
pdf, 127 КБ
Datasheet 2STN1550
pdf, 126 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.