IKW75N65EL5XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 760 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 760 руб.
Описание
Электроэлемент
IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-247; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.1V; Power Dissipation Pd:536W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.1 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current at 25 C | 80 A |
Factory Pack Quantity | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | IKW75N65EL5 SP001174464 |
Pd - Power Dissipation | 536 W |
Product Category | IGBT Transistors |
Qualification | AEC-Q100 |
RoHS | Details |
Series | TRENCHSTOP 5 L5 |
Technology | Si |
Tradename | TRENCHSTOP |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.1В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 80А |
Power Dissipation | 536Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.1 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | IKW75N65EL5 SP001174464 |
Pd - Power Dissipation: | 536 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | Trenchstop IGBT5 L5 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | TRENCHSTOP |
Вес, г | 4.43 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов