LBSS138LT1G, Транзисторы
5246 шт. со склада г.Москва
12 руб.
от 200 шт. —
4 руб.
от 400 шт. —
2.60 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
50V 200mA 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 200mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 225mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 3.5Ω 200mA, 5V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1.5V 1mA |
кол-во в упаковке | 1 |
Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet LBSS138LT1G
pdf, 540 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.