Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRFH5300TRPBF, Dual N-Channel MOSFET ...

IRFH5300TRPBF, Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 100 A, 30 V, 8-Pin PQFN 5 x 6 IRFH5300TRPBF

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

470 руб.

Кратность заказа 10 шт.

от 250 шт. — 317 руб.

Добавить в корзину 10 шт. на сумму 4 700 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8020169393

Артикул: IRFH5300TRPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

Описание Транзистор полевой IRFH5300TRPBF производства компании INFINEON – это высококачественный компонент для современных электронных устройств. Устройство выполнено в технологии N-MOSFET, что обеспечивает его высокую эффективность при минимальных потерях мощности. Монтаж данного транзистора осуществляется с использованием поверхностного монтажа (SMD), что делает его идеальным для интеграции в плотно упакованные печатные платы. Транзистор характеризуется максимальным током стока 40 А и напряжением сток-исток 30 В, что позволяет использовать его в широком спектре применений, требующих высокой мощности. Рассеиваемая мощность устройства составляет 3,6 Вт, что свидетельствует о его хорошей энергоэффективности. Компактный корпус PQFN5X6 обеспечивает удобство монтажа и экономию пространства на плате. Обратите внимание на код товара для облегчения поиска: IRFH5300TRPBF. При поиске в интернет-магазине вы можете использовать упрощенный код без специальных символов: IRFH5300TRPBF, что ускорит процесс нахождения нужного компонента. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	40
Напряжение сток-исток, В	30
Мощность, Вт	3.6
Корпус	PQFN5X6

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	100 A
Maximum Drain Source Resistance	0.0014 O
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	20V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	PQFN 5x6
Pin Count	8
Series	HEXFET
Время	задержки включения/выключения-31/26 нс
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Заряд затвора, нКл	120
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальное напряжение сток-исток, В	30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	40
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	1.1
Мощность	рассеиваемая(Pd)-3.6 Вт
Напряжение	пороговое затвора(Vgs th)-1.8 В
Описание	30V, 40A N-Channel MOSFET
Способ монтажа	поверхностный(SMT)
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
Упаковка	REEL, 4000 шт.
Вес, г	1